자료실
National Nanotechnology Policy Center

나노기술 및 정책 정보

일본 [일본/R&D]박막 트랜지스터를 국소 레이저 처리하여 고속화하는 기술 개발

페이지 정보

발행기관
과학기술진흥기구
저자
 
종류
 
나노기술분류
 
발행일
2019-02-22
조회
4,901

본문

과학기술진흥기구(JST)가 산학공동실용화개발사업(NexTEP) 개발 과제인 대형 평판 디스플레이용 레이저 어닐링 기술의 개발 결과를 성공으로 인정함. 본 개발 과제는 야마가타대학(山形大学) 연구팀의 연구 성과를 바탕으로 20153~20183월까지 ’V-Technology’가 위탁받아 실용화 개발을 진행함. 4K8K 방송에서는 화소 수가 증가하여 화소당 표시 시간이 짧아지기 때문에 일반적인 대형 액정 TV에 채용되는 비정질 실리콘(a-Si) 막을 이용한 박막 트랜지스터(TFT) 소자로 이루어진 플랫 디스플레이 (FPD)로는 대응이 불가능했음. a-Si 막보다 고성능인 저온 폴리 실리콘 막의 TFT를 사용하면 고정밀화가 가능하지만, 제조비용이 높아 대형 TV에 적용이 수 없었음. 연구팀은 a-Si TFT 소자의 채널 영역만을 레이저 어닐링처리하여 국소적으로 재결정하여 TFT 소자를 고속화하는 기술을 바탕으로, 레이저 어닐링 처리된 TFT의 성능을 실시간으로 측정하는 장치를 개발하는 등 양산에 필요한 과제들을 해결하고 프로토 타입을 구현, 대형 유리 기판에 대해 그 효과를 입증함. 본 디바이스는 기존 a-Si TFT 소자 패널을 사용하는 대형 FPD 제조 라인에 추가하는 것만으로, TFT 소자의 고성능화, 고정밀화, 제조비용 절감에 기여할 수 있기 때문에 향후 대형 TVFPD 양산에 필수적 기술이 될 것으로 기대됨