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싱가포르 국립싱가포르대학교(National University of Singapore) 연구팀이 금속 기판 위의 2차원 전이금속 디칼코게나이드(transition metal dichalcogenides, 2D-TMD) 물질이 반도체 1H-상(semiconducting 1H-phase)에서 준금속 1T'-상(quasi-metallic 1T’-phase)까지 변환되는 메커니즘을 발견함. 연구팀은 이황화몰리브덴과 같은 2D-TMD 물질이 1H에서 1T'로 상전이가 일어날 때 물질 자체가 고유한 에너지 장벽을 가지지만, 높은 화학 반응성을 가지는 금속 기판을 사용할 경우 상전이 수율이 현저히 증가한다는 것을 확인함. 이 연구는 2D-TMD 물질의 상전이 역학에 영향을 미치는 하이브리화된 계면의 영향에 대한 새로운 통찰력을 제공하며, 또한 새로운 2D-TMD 기반 소자의 개발 가능성을 제시함. 본 연구 성과는 ‘Advanced Science’ 지에 게재됨