기타 [기타/R&D]무기 도펀트로 n형 그래핀 트랜지스터 성능 향상
페이지 정보
- 발행기관
- Graphene-info
- 저자
- 종류
- 나노기술분류
- 발행일
- 2019-03-14
- 조회
- 3,754
본문
인도 뭄바이국립공과대학교(Indian Institute of Technology Bombay) 연구팀이 10개월 이상 작동하는 것으로 알려진 이산 무기 구조(discrete inorganic structure)에 기반한 그래핀 전계 효과 트랜지스터를 개발함. 연구팀은 최최로 그래핀 기반의 논리 인버터를 만들기 위해 란타넘족 화합물을 사용함. 개발된 소자는 C–H⋯π 상호작용으로 인해 7200시간 동안 안정적이며, 안정성 이외에도 시스템의 다른 속성도 인상적임. 연구팀은 분자 전자 소자를 실제 장치로 가속화하기 위한 후속 연구를 진행할 예정임. 본 연구 성과는 ‘Materials Horizons’ 지에 게재됨
- 이전글[기타/R&D]우주 응용 분야에 대한 2차원 소재의 방사선 내구성 19.03.26
- 다음글[기타/R&D]매우 민감하고 획기적인 스마트 센서 개발 19.03.26