나노기술 및 정책 정보

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뉴욕대학교(New York University) 연구팀이 데이터 저장 기술의 성능을 향상시킬 수 있는 가능성을 가진 새로운 유형의 자석을 발견함. 연구팀은 중성자 산란, X선 산란, 이론 시뮬레이션을 이용하여 훨씬 더 강한 자석인 USb2의 거동과 단일항(singlet) 기반 자석의 이론적 특성 사이의 관계를 연구함. 연구팀이 발견한 단일항(singlet) 자석은 기존의 자석보다는 불안정한 힘을 야기하지만, 대신 더 많은 유연성을 가진다는 장점이 있음. 이 단일항 자석은 전력 소비와 컴퓨터 내부의 전환 속도 향상에 도움이 될 수 있으며, 자기적으로 저장된 정보를 더 잘 제어할 수 있을 것으로 기대됨. 본 연구 성과는 ‘Nature Communications’ 지에 게재됨