나노기술 및 정책 정보

• 목록

중국과학원 닝보(寧波) 재료기술 및 공정 연구원 연구팀은 CVD 기술을 이용하여 다결정 구리 기판에 질소 도핑 그래핀 박막을 제조하는데 성공함. 연구팀은 질소 도핑 그래핀의 합성 및 특성화를 넓은 영역의 원자층에서 입증하고, 단기적인(전기화학적 시험) 부식 시험과 장기(공기노출)적인 부식 시험 모두에서 질소 도핑 그래핀의 보호 특성을 평가함. 그 결과, 그래핀에 질소를 통합하면 그래핀의 전도성이 저하되고, Cu/N-도핑 그래핀 계면 간의 전자 수송을 막을 수 있기 때문에 단기 부식과 장기 부식이 모두 억제되는 것으로 나타남. 이번 연구는 그래핀의 새로운 보호 방법을 제공하고 그래핀의 기본적인 연구와 응용을 촉진할 것으로 기대함. 본 연구 성과는 ‘Journal of Materials Chemistry A’ 지에 게재됨