나노기술 및 정책 정보

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칭화(淸華)대학교 연구팀이 베이징(北京) 자오퉁(交通)대학교와 공동으로 3차원 광전자 센서를 개발함. 연구팀은 질화규소(silicon nitride) 응력 층을 이용하여 2차원 그래핀 전계효과트랜지스터(graphene field-effect transistor, GFET)를 구동하고 자체 롤-업 방법(self-rolled-up method)을 통해 마이크로 튜브 타입의 3차원 GFET 구조를 제작함. 연구팀은 최초로 롤 층수(1-5)와 반경(30-65μm)을 정밀하게 제어할 수 있는 3차원 GFET 디바이스 배열을 실현함. 개발한 3차원 GFET 디바이스는 광전자 센서로 사용할 수 있을 뿐만 아니라 자외선, 가시광선, 중 적외선, 테라헤르츠파에 대한 높은 정밀도와 신속한 탐측에 적용할 수 있음. 본 연구 성과는 ‘Nano Letters’ 지에 게재됨