나노기술 및 정책 정보

• 목록

정보통신연구기구(NICT), 신에너지·산업기술종합개발기구(NEDO), 도쿄농공대학교의 공동 연구팀이 이온 주입 도핑 기술을 이용한 세로형 산화갈륨(Ga2O3) 트랜지스터 개발에 세계 최초로 성공함. 이번 결과는 지금까지 보고된 유사한 세로형 산화갈륨 트랜지스터를 뛰어넘는 장치 특성을 실현한 것으로, 에너지 절약 과제에 직접적으로 공헌할 수 있는 새로운 반도체 디바이스 분야에서 있어 큰 성과임. 이온 주입 도핑을 기반으로 하는 디바이스 제작 기술은 양산에 적합하고 범용성이 높으며 저비용 생산이 가능하기 때문에, 향후 전기 자동차 제조회사 등과 같은 민간 기업들이 산화갈륨 전원 장치를 본격적으로 개발할 것으로 예상됨. 본 연구 성과는 ‘IEEE Electron Device Letters’ 지에 게재됨