나노기술 및 정책 정보

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● Jingbi You 연구원(중국과학원 반도체연구소) 연구팀은 p-i-n 역구조 페로브스카이트 태양전지의 p형 홀 전송층 설계 및 제어 가능 성장 분야에서 큰 성과를 달성

● 연구팀은 용액법으로 제조한 p형 산화니켈(NiOx) 나노입자를 투명 전도성 기판 FTO 및 SAM 층 사이에 혁신적으로 도입, SAM의 자가조립 능력을 향상시켰으며, NiOx 나노입자 동질화를 통해 균일하고 치밀한 NiOx막 표면에서 SAM의 제어 가능한 대면적 제조를 실현

● 해당 장치의 인증효율은 25.2%(0.074cm2), 모듈효율은 21%(14.6cm2)이며, 1000시간 동안 최대 출력 작동 후 및 85℃에서 500시간 작동 가속 후 모두 초기 효율의 85% 이상 유지

● 본 연구는 보다 균일한 페로브스카이트 층을 증착하여 모듈 장치 성능을 더욱 향상시킬 것으로 기대

Science (2023.11.23.), Homogenized NiOx nanoparticles for improved hole transport in inverted perovskite solar cells