나노기술 및 정책 정보

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● Yong Zhang 연구원(국가나노과학센터) 공동 연구팀은 격자가 완전히 부서진 서브나노미터급 그래핀을 생산하기 위한 완전 물리적(all-physical) 하향식 방법을 개발하여 단층 구조와 약 0.5nm의 수평 크기를 가진 서브나노미터 물질(GSNs)을 제조

● 연구팀이 제조한 GSNs는 벌크흑연, 그래핀 나노시트(GNSs) 및 그래핀 양자시트(GQSs)에 비해 광발광 및 비선형 포화 흡수 성능이 극도로 향상

● 또한 GSNs-PMMA 복합필름은 50.5%의 높은 절대 변조 깊이와 0.73 MW cm-2의 낮은 포화 강도 및 16.4%의 비포화 손실을 보유

● 본 연구는 양자 크기 및 서브나노미터 크기를 포함하는 초소형 재료 제조 분야에서의 활용이 기대

Advanced Materials (2023.12.13.), Tailoring Graphite into Subnanometer Graphene