기타 저전력 전자기기용 자성 그래핀
페이지 정보
- 발행기관
- Nanowerk
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 나노정보전자
- 발행일
- 2023-11-24
- 조회
- 831
본문
● 싱가포르 Ariando Ariando 교수(National University of Singapore) 외 공동 연구팀은 2차원 소재에서 스핀 분리(spin splitting)를 유도하고 정량적으로 측정할 수 있는 방법을 개발해 그래핀에서 높은 조정가능성과 스핀분극도를 달성하는 데 성공
● 연구팀은 Landau 팬 편이(fan shift) 현상을 활용해 자성 그래핀에서 스핀분할 에너지를 직접적으로 정량화할 수 있는 혁신적인 개념을 고안했으며, 이후 자성 부도체 산화물인 Tm3Fe5O12(TmIG) 위에 단층 그래핀을 쌓아 자성 그래핀 구조를 만들어 검증실험을 수행
● 실험 결과, 스핀분할 에너지는 132meV로 측정됐으며 후속 자장냉각(field cooling) 실험을 통해 스핀분할의 정도를 조정할 수 있는 것으로 확인
● 본 연구에서 개발한 방법은 그래핀에서 스핀분극도 개선과 스핀분할 에너지 조정을 수월하게 달성할 수 있으므로 2차원 스핀트로닉스 분야에서 저전력 전자기기 기술의 발전에 기여할 것으로 기대
Advanced Materials (2023.10.09.), Tunable Spin-Polarized States in Graphene on a Ferrimagnetic Oxide Insulator
- 이전글그래핀을 통한 양성자 수송 가속화 23.12.05
- 다음글초점 거리를 변경할 수 있는 메타 렌즈 개발 23.11.30