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1. 서론
2006년 8월에 ‘MBE-LITHO’ 기술에 관하여 학교법인 간사이대학( 關西大學 )이 보유・출원 중인 특허를 프랑스의 리벨회사(이하 R회사라 함)에게 유상 양도하는 계약을 체결했다. 양도가격은 일시금 1,500만 엔과 런닝 로얄티이다. R회사는 분자선 에피닥시(MBE) 결정 성장장치의 세계적인 최고 수준의 회사이다.
이 기술을 이전함으로써 기존의 2차원 박막 적층 구조뿐만 아니라 나노영역의 표면 템플레이트의 제작과 3차원 선택 성장을 동시에 반도체 표면에서 실시할 수 있다. 이에 따라 광・전자 디바이스 3차 구조에 관한 연구가 획기적으로 가속화될 것이다. 현재 R회사는 R회사 일본총대리점과 일본 다수 기업체의 협력으로 장치를 제품화하고 있다. 간사이대학은 진척상황을 보면서 MBE_LITHO 기술의 발전・확립을 지향하며 간사이대학-R회사간의 공동연구를 조정해 나갈 것이다.
2. 지적재산의 사회 환원
간사이대학의 지적재산 활동 기본적 이념은 다음과 같다. 즉, 눈에 보이는 대가성을 얻을 목적이 아니고 지적재산을 ‘연구의 씨앗(종자)’으로 확보하며, 기업과의 공동연구・수탁연구 등에 의해 본 대학의 연구를 더욱 활성화・발전시켜 최종적으로 지적재산을 사회에 환원하는 것을 지향하는 것이다.
따라서 기술이전・공동연구의 대상을 선정하는 것이 매우 중요한 조건이다. R회사와의 사이에는 이 방침에 따라 수년간에 걸쳐 실시허락 교섭을 추진한 후 국제제휴를 가속화시키기 위해 결과적으로 ‘특허양도’를 하게 되었다.
3. 최선의 파트너 선정
지금까지 지적재산 활동을 이와 같이 추진한 경위는 대략 다음과 같다. 먼저 기술이전 대상이 해외기업이어야 한다는 것이다. 대학 내에서 최초로 검토한 것은 ‘국가 이익에 위반되지 않는가?’라는 것이다. 검토결과, 기술의 실용화를 최우선으로 생각하면 MBE장치의 세계적 최고수준인 R회사가 최적의 대상이며, 기술이전이 프로세스 기술이므로 앞으로 본 대학과의 공동연구 성과물로 제품화하는 장치는 디바이스를 실현하기 위한 도구가 된다. 이 장치를 이용해 일본기업도 이 프로세스 기술을 이용함으로써 일본의 반도체 디바이스의 신규 사업 추진이 기대되므로 결과적으로 일본 산업에도 크게 공헌할 것으로 판단되었다.
4. 실용화의 가속화
다음에는 실시허락이 아니고 ‘특허양도’라는 점이다. 당초에는 실시허락이라는 조건으로 교섭했으나 결국 특허양도 조건으로 변경하게 되었다. 변경이유는 여러 가지 있으나 첫째로 특허양도 조건으로 함으로써 R회사의 장치개발을 보다 가속화할 수 있을 것으로 판단했기 때문이다.
5. 결론
2007년 8월 31일에 발표된 문부과학성의 ‘이노베이션 창출을 위한 산학관 제휴의 전략적 추진(종합심의)’에서 2006년도 공동연구 등의 실적(상위 30기관)이 공표되었다. 이 결과에 따르면, 간사이대학은 특허출원 건수와 공동연구 건수의 우선순위는 없고, 특허실시료 수입에서 8위, 특허실시 건수에서 29위를 각각 차지했다.
특허실시료 수입에 관련된 이번 특허기술의 해외기업 양도는 연구자의 열성과 지적재산 체제가 갖춰졌기 때문에 이뤄졌다. 간사이대학은 앞으로 지속적으로 규모에 적합한 체제를 유지 발전시키고, 특색을 활용한 지적재산 관리를 실시하며, 국내뿐만 아니라 전 세계를 향해 연구 성과의 사회 환원을 추진할 계획이다. |