나노기술 및 정책 정보

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● 체코 Mark H. Rümmeli 교수(Technical University of Ostrava) 연구팀은 여러 농도의 염화주석(SnCl4)을 사용하여 팔라듐 디셀레나이드(PdSe2) P형 반도체의 도핑수준을 조절

● 연구팀은 팔라듐 디셀레나이드 필름에 염화주석을 루이스 산으로서 침지처리한 결과, 염화주석의 농도가 높아짐에 따라 팔라듐 디셀레나이드 P형 반도체의 에너지 밴드 갭이 변화하며 문턱전압이 증가하는 것을 발견하고 루이스 산의 농도와 반도체 물질의 도핑 수준과의 상관관계를 확인

● 본 연구의 기술은 반도체 도핑공정을 최적화하여 2차원 물질의 전도율 조절 연구를 가속화하고, 팔라듐 디셀레나이드 기반 트랜지스터를 통합한 유연 전자장치와 광학검출기 분야에 적용될 전망

Nano Research (2023.11.01.), Modulating p-type doping of two dimensional material palladium diselenide