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나노기술 및 정책 정보

미국 AMAT, 2나노 이하 칩 배선 기술 공개

페이지 정보

발행기관
연합뉴스
저자
 
종류
산업
나노기술분류
나노공정·분석·장비 > 나노패터닝 기술
발행일
2024-10-14
조회
53

본문

● 반도체·디스플레이 장비 기업인 Applied Materials(AMAT)가 컴퓨팅 효율을 높일 수 있는 칩 배선 혁신을 공개

● 반도체 업계가 2나노 이하 스케일링에 나서면서 절연체가 얇아져 칩이 물리적으로 약해졌으며, 구리 배선 폭이 좁아지면 전기 저항이 가파르게 증가해 칩 성능이 저하되고 전력 소비량이 증가하는 문제가 발생

● 이에, AMAT는 반도체 제조사가 저저항 구리 배선을 2나노 이하로 스케일링 할 수 있게 하는 절연체 블랙 다이아몬드의 최신 버전과 6개 기술을 하나의 고진공 시스템에 조합한 엔듀라 쿠퍼 배리어 씨드 IMS’를 공개

● AMAT에서 공개한 엔듀라 쿠퍼 배리어 씨드 IMS’는 업계 최초로 양산 과정에서 상용 촉매 중 가장 성능이 뛰어난 것으로 알려진 루테늄을 사용하였으며, 증착 공정 중 접착력을 보장하는 라이너(liner)의 두꼐를 2나노까지 축소·전기 배선 저항을 25% 낮춰 칩 성능과 전력 소비를 개선

● Prabu. G. Raja AMAT 반도체 제품그룹 사장은 AMAT의 최신 통합 재료 솔루션을 통해 반도체 업계가 저저항 구리 배선을 옹스트롬 노드로 스케일링 할 수 있게 한다고 강조