나노기술 및 정책 정보

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Seigo Tarucha 연구원(이화학연구소) 연구팀은 실리콘 양자 비트 사이에 강한 노이즈 상관을 관찰하는 데 성공

고밀도로 집적된 실리콘 양자 비트열에서 나타나는 노이즈의 특성을 조사하기 위해 100nm 정도 떨어진 실리콘 양자 비트 쌍에 대해 각 양자 비트에 노이즈를 일으키는 위상 회전 속도의 흔들림(시간적 변동)을 동시에 측정

본 연구는 노이즈 발생원의 특정이 곤란한 상황에서 측정이 가능해짐에 따라, 실리콘 양자 컴퓨터의 장래 설계와 성능 향상에 기여할 것으로 예상

Nature Physics (2023.10.09.), Noise-correlation spectrum for a pair of spin qubits in silicon