나노기술 및 정책 정보

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● Yutaka Majima 교수(도쿄공업대) 연구팀은 2차원 강유전성 반도체 α-In2Se3를 갭 길이 ​​100nm의 나노 갭 전극 위에 전사한 ‘바텀 콘택트(bottom contact)형’ 비 휘발성 메모리 구조를 제작

● IP(in-plane) 분극 반전에 기초한 강유전성 반도체의 비휘발성 메모리 루프 효과를 나타냈으며, 103에 이르는 ON/OFF비(ratio)와 함께 17시간 이상 지속되는 안정적인 리텐션(데이터 유지 시간) 및 1200사이클 이상의 내구성을 확인

● 해당 반도체는 시스템의 메모리 용량 확장 및 전력 소비를 줄이면서 신뢰성도 향상시켜, 차세대 전자제품의 단순화된 구성을 고려할 때 대규모 집적에 기여할 것으로 전망

Advanced Science (2023.08.11.), Bottom Contact 100 nm Channel-Length α-In2Se3 In-Plane Ferroelectric Memory