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나노기술 및 정책 정보

미국 연속 전류로 인한 마이크로 전자장치의 오작동 메커니즘 분석

페이지 정보

발행기관
Phys.org
저자
 
종류
R&D
나노기술분류
나노정보전자 > 나노융합 기억소자
발행일
2024-09-13
조회
109

본문

● K. Andre Mkhoyan 교수(University of Minnesota) 연구팀은 연속 전류로 인한 마이크로 전자 장치의 오작동 메커니즘 분석 연구

● 연구팀은 정교한 전자 현미경을 사용하여 스핀트로닉 자기 터널 접합(Magnetic Tunnel Junctions, MTJ) 내에 전류를 흘려보내 작동 방식을 확인하였으며, 지속적인 전류로 시간이 지남에 따라 장치의 나노필러가 층 사이에 끼어 오작동하는 것을 발견

● 연구팀은 장치에 핀홀이 형성되면 초기 저하 단계에 돌입하며, 더 많은 전류를 추가하면 결국 장치가 녹아내려 타는 것을 확인하였으며, 원자 규모에서 장치를 분석한 결과 장치의 녹는점을 비롯한 다른 물성을 보유하는 것을 확인

● 해당 연구 결과는 컴퓨터 메모리 장치의 설계를 개선하여 수명과 효율성을 높이는 데에 기여할 것으로 기대


ACS Nano (2024.08.20), Uncovering Atomic Migrations Behind Magnetic Tunnel Junction Breakdown