미국 연속 전류로 인한 마이크로 전자장치의 오작동 메커니즘 분석
페이지 정보
- 발행기관
- Phys.org
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 나노정보전자 > 나노융합 기억소자
- 발행일
- 2024-09-13
- 조회
- 109
본문
● K. Andre Mkhoyan 교수(University of Minnesota) 연구팀은 연속 전류로 인한 마이크로 전자 장치의 오작동 메커니즘 분석 연구
● 연구팀은 정교한 전자 현미경을 사용하여 스핀트로닉 자기 터널 접합(Magnetic Tunnel Junctions, MTJ) 내에 전류를 흘려보내 작동 방식을 확인하였으며, 지속적인 전류로 시간이 지남에 따라 장치의 나노필러가 층 사이에 끼어 오작동하는 것을 발견
● 연구팀은 장치에 ‘핀홀’이 형성되면 초기 저하 단계에 돌입하며, 더 많은 전류를 추가하면 결국 장치가 녹아내려 타는 것을 확인하였으며, 원자 규모에서 장치를 분석한 결과 장치의 녹는점을 비롯한 다른 물성을 보유하는 것을 확인
● 해당 연구 결과는 컴퓨터 메모리 장치의 설계를 개선하여 수명과 효율성을 높이는 데에 기여할 것으로 기대
ACS Nano (2024.08.20), Uncovering Atomic Migrations Behind Magnetic Tunnel Junction Breakdown
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