나노기술 및 정책 정보

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● 영국 University of Surrey의 연구팀은 박막트랜지스터와 금속-반도체를 조합한 소스-게이트 트랜지스터의 온도에 따른 성능 변화를 해결하기 위한 방안을 모색

● 연구팀은 나노수준의 엔지니어링으로 트랜지스터의 인듐-갈륨-아연 산화물 소스 전극에 절연박막을 추가하여 전하의 흐름을 변경함으로써 소스-게이트 트랜지스터에 온도 안정성을 더하는 성과를 달성

● 연구팀이 고안한 새로운 구조의 소스-게이트 트랜지스터는 우리의 몸 전체에 연결되어 생체신호를 감지하고 증폭시키는 의료장비나 훌륭한 에너지효율로 지구 환경을 보전하는 유연한 전자 장치의 핵심소재로 이용 가능할 전망

IEEE Transactions on Electron Devices (2023.05.29.), Evidence of Improved Thermal Stability via Nanoscale Contact Engineering in IGZO Source-Gated Thin-Film Transistors