나노기술 및 정책 정보

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● 펑롄마오, 장즈융 교수(베이징대학교) 연구팀은 10nm 실리콘 기술 노드에 해당하는 크기로 확장할 수 있는 정렬된 탄소나노튜브 전계효과트랜지스터(FET)를 개발

● 연구팀은 175nm의 접촉 게이트 피치(게이트 길이와 접촉 길이를 각각 85nm와 80nm로 스케일링)를 가진 나노튜브 FET를 제조(브레이크오버 전류는 2.24mAμm-1, 피크 전이 전도도는 1.64mSμm-1)한 후, 6개의 나노튜브 FET를 사용하여 90nm 실리콘 기술 노드와 유사한 0.976μm2 면적의 정적 랜덤 액세스 메모리 셀을 생성

● 또한, 금속과 나노튜브 사이에 전체 접촉 구조를 도입 및 90Ωμm의 낮은 접촉 저항으로 접촉 길이에 대한 의존성을 줄여, 55nm의 접촉 게이트 피치(10nm 노드에 해당)를 갖는 나노튜브 FET를 제조

● 해당 나노튜브 FET는 캐리어 전이율과 페르미 속도 모두 10nm 실리콘 금속산화물 반도체 트랜지스터보다 높은 수준으로 개선되어, 고성능 디지털 집적회로 분야에서의 활용이 기대

Nature Electronics (2023.07.17.), Scaling aligned carbon nanotube transistors to a sub-10 nm node