나노기술 및 정책 정보

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● 오야 시노부(도쿄대) 연구팀은 스핀 트랜지스터의 기본이 되는 강자성체/반도체/강자성체 구조로 이루어지는 횡형 2단자 소자를 단결정 산화물에 사용하여 제작함으로써 기존의 10배 이상의 큰 자기 저항비를 획득하였으며, 게이트 전압에 의한 전류 변조를 실현

● 분자선 에피택시법(molecular beam epitaxy)을 이용하여 산화물 SrTiO3 기판 위에 고품질의 단결정 La0.67Sr0.33MnO3 박막을 제작

● 약 40 nm 폭에 아르곤 이온을 조사(照射)하여 산소 결손을 발생시켜 해당 영역을 반도체에 상전이를 시켜 반도체 채널 영역을 형성함으로써 강자성체/반도체/강자성체로 구성된 단결정 산화물 횡형 2단자 소자를 제작

● 해당 구조를 이용하여 3단자 스핀 트랜지스터 소자를 제작하고 게이트 전압에 의해 전류를 변조하는 데 성공

● 본 연구 결과는 산화물을 이용하여 나노스케일에서의 국소적인 상전이에 의한 새로운 기능성을 가지는 디바이스의 제작 가능성을 보여주며, 해당 상전이 기술을 다양한 산화물에 적용함으로써 산화물의 다양한 물성을 이용한 새로운 디바이스를 개발할 수 있을 것으로 기대

Advanced Materials (2023.05.02.), Giant Spin-Valve Effect in Planar Spin Devices Using an Artificially Implemented Nanolength Mott-Insulator Region