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나노기술 및 정책 정보

기타 산화티타늄 기반 인공 시냅스 소자의 나노구조 모델링 및 합성, 멤리스턴스 크로스바 제작, 저항변화 특성에 관한 연구

페이지 정보

발행기관
Nano Research
저자
 
종류
R&D
나노기술분류
나노정보전자
발행일
2023-04-20
조회
993

본문

● 러시아 Vladimir Smirnov 박사(Southern Federal University) 연구팀은 국소양극산화(anodization)로 만든 산화티타늄 나노구조를 대상으로 TiO, Ti2O3, TiO2 분포 및 산소공석의 수치 시뮬레이션을 통해 양극산화 전압펄스 지속시간 및 진폭이 산화티타늄 조성 분포와 전도채널 형성에 미치는 영향을 분석

● 연구팀은 전기화학적 산화티타늄 기반 시냅스 소자 프로토타입을 제작해 분석한 결과, 저항변화 사이클 10만 회에 걸쳐 저저항 상태 1.43±0.54kΩ과 고저항 상태 28.75±9.75kΩ 사이에서 저항변화가 자유롭게 일어나며 저저항 상태 1.49±0.23kΩ10,000초간 유지되는 현상을 확인

● 이어 시냅스 소자 프로토타입의 다층 저항변화 특성을 분석한 결과, 연구팀은 전압펄스를 0.5V에서 1.5V로 상향 조정하자 저저항 상태가 3.96±0.19kΩ에서 0.71±0.10kΩ으로 달라지는 것을 확인

● 본 연구 결과는 신경전자기기 및 하드웨어 신경망의 소자로 이용할 수 있는 고성능 다층 인공 시냅스의 개발 토대가 될 것으로 기대


Nano Research (2023.04.20.), Titanium oxide artificial synaptic device: Nanostructure modeling and synthesis, memristive cross-bar fabrication, and resistive switching investigation