일본 터널 효과를 나타내는 층상 반도체의 접합 구조 개발
페이지 정보
- 발행기관
- 도쿄대학교
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 나노정보전자
- 발행일
- 2023-03-21
- 조회
- 720
- 출처 URL
본문
● 미야타 야스미츠(도쿄도립대) 연구팀이 차세대 반도체 재료로 주목 되고 있는 전이금속 디칼코제나이드(Transition Metal Dichalcogenides,TMDC)의 다층 결정에 있어서, 다른 2종류의 TMDC가 동일한 면 내에서 접합된 구조로 제작
● 점착 테이프를 이용하여 TMDC 결정을 벗겨내고, 그 후 실리콘 기판 위에 계면의 구조 관찰용으로 이셀레늄화 텅스텐(WSe2)을, 그리고 전자 전달 특성의 평가용으로 NbxMo1-xS2(나이오븀 이황화 몰리브덴)의 두 가지 다층 플레이크 모양의 TMDC 결정을 부착
● 이 기판을 이용하여 화학기상증착법(CVD)으로 MoS2 결정을 성장시켰으며 성장 조건을 최적화함으로써 다층 TMDC의 결정 끝에서 MoS2를 성장시키는 데 성공
● 해당 다층 구조를 이용하여, 전자 또는 홀을 포함한 TMDC의 고농도 접합이 가능하고 그 접합 계면에서의 터널 전류를 관측함으로써, 저전력 TFET(tunneling field-effect transistors) 응용을 위한 새로운 디바이스 구조와 성능 개선을 위한 중요한 지침이 될 것으로 기대
ACS Nano (2023.02.27.), Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics
- 이전글광역동요법과 광열요법의 나노의학적 시너지 효과 23.05.09
- 다음글일본, 차세대 반도체 기업 라피더스에 2600억 엔 추가 지원 23.05.03