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나노기술 및 정책 정보

중국 25.3%의 외부양자 효율을 나타내는 γ-CsPbI3 나노결정 발광다이오드 개발

페이지 정보

발행기관
망이
저자
 
종류
R&D
나노기술분류
나노정보전자
발행일
2023-05-08
조회
685

본문

● 장샤오위, 장위, 정웨이타오(지린대) Andrey L. Rogach(홍콩시티대) 공동 연구팀은 시드 지원(seed-assisted헤테로 에피택셜 성장을 통해 시드코어 CaIx/γ-CsPbI3/CaI2 나노결정을 제조

● 초소형 CaIx 나노입자는 Pb 중심의 팔면체 배열을 형성하는 동시에 힘의 전달을 차단하여 격자 변형을 억제함으로써 나노결정의 구조적 안정성을 향상

● 또한, 동일한 물질로 구성된 CaI쉘은 형성된 γ-CsPbI3 나노결정을 환경으로부터 격리시켜 안정성을 크게 향상

● 시드/코어/셀 CaIx/γ-CsPbI3/CaI2 구조는 입방형 α-CsPbI3 나노결정에 비해 더 얕은 트랩 상태를 가지며, γ-CsPbI나노결정을 이용한 발광다이오드는 25.3%의 높은 외부 양자 효율, 13600 cd/m이상의 높은 밝기, 초기 휘도의 50%에 도달하기까지 690 nm 파장에서 약 14시간의 작동 수명을 나타냄을 확인

● 본 연구는 상용화 가능한 고성능 발광다이오드 개발을 위한 새로운 전략을 제시


ACS Nano (2023.05.01.), Highly Stable and Efficient Light-Emitting Diodes Based on Orthorhombic γ-CsPbI3 Nanocrystals