기타 산화티타늄 기반 인공 시냅스 소자의 나노구조 모델링 및 합성, 멤리스턴스 크로스바 제작, 저항변화 특성에 관한 연구
페이지 정보
- 발행기관
- Nano Research
- 저자
- 종류
- R&D
- 나노기술분류
- 나노정보전자
- 발행일
- 2023-04-20
- 조회
- 985
- 출처 URL
본문
● 러시아 Vladimir Smirnov 박사(Southern Federal University) 연구팀은 국소양극산화(anodization)로 만든 산화티타늄 나노구조를 대상으로 TiO, Ti2O3, TiO2 분포 및 산소공석의 수치 시뮬레이션을 통해 양극산화 전압펄스 지속시간 및 진폭이 산화티타늄 조성 분포와 전도채널 형성에 미치는 영향을 분석
● 연구팀은 전기화학적 산화티타늄 기반 시냅스 소자 프로토타입을 제작해 분석한 결과, 저항변화 사이클 10만 회에 걸쳐 저저항 상태 1.43±0.54kΩ과 고저항 상태 28.75±9.75kΩ 사이에서 저항변화가 자유롭게 일어나며 저저항 상태 1.49±0.23kΩ이 10,000초간 유지되는 현상을 확인
● 이어 시냅스 소자 프로토타입의 다층 저항변화 특성을 분석한 결과, 연구팀은 전압펄스를 0.5V에서 1.5V로 상향 조정하자 저저항 상태가 3.96±0.19kΩ에서 0.71±0.10kΩ으로 달라지는 것을 확인
● 본 연구 결과는 신경전자기기 및 하드웨어 신경망의 소자로 이용할 수 있는 고성능 다층 인공 시냅스의 개발 토대가 될 것으로 기대
Nano Research (2023.04.20.), Titanium oxide artificial synaptic device: Nanostructure modeling and synthesis, memristive cross-bar fabrication, and resistive switching investigation
- 이전글나노와이어 네트워크는 인간의 뇌와 같이 단기 및 장기기억이 모두 가능 23.05.03
- 다음글나노기술로 물과 공기로부터 소독액을 생성 23.04.25