나노기술 및 정책 정보

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● 미국 University of Texas의 연구팀은 원자 단일층 두께의 전이금속 디칼코게나이드(transition metal dichalcogenides, TMD) 반도체의 유연한 전자적 특성을 활용하여 나노스케일 측면 전자 접합을 생성

● 연구팀은 육방정 질화붕소/루테늄(hBN/Ru) 기판에 셀레늄(Se)을 부분적으로 삽입하여 상층에 놓인 전이금속 디칼코게나이드인 몰리브덴 디셀레나이드(MoSe2) 단층에서 측면 접합이 형성되는 것을 확인

● 셀레늄의 삽입으로 국부적으로 변조된 육방정 질화붕소/루테늄의 일함수가 근접한 몰리브덴 디셀레나이드 단층의 전자와 정공의 상쇄정도에 변화를 일으켜 높아진 확산 전위를 갖는 측면 접합이 발생하고 몰리브덴 디셀레나이드의 밴드 갭이 상승

● 본 연구를 통해 나노스케일 측면 전자 접합이 2D 재료의 밴드 프로필을 조절하는 효과적인 방법임을 규명하고, 이를 hBN/TM 템플릿 뿐만아니라 나노구조의 정전기 특성을 가진 모든 기판 또는 캡핑층에 활용 가능

ACS Nano (2023.03.22.), Creating a Nanoscale Lateral Junction in a Semiconductor Monolayer with a Large Built-in Potential