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National Nanotechnology Policy Center

나노기술 및 정책 정보

미국 반도체 내부 전자의 역학적 특성을 측정하는 혁신적 기법 개발

페이지 정보

발행기관
Nanowerk
저자
 
종류
R&D
나노기술분류
나노정보전자
발행일
2023-02-03
조회
790

본문

● UC 버클리 연구팀은 실리콘 나노와이어의 전자적 특성을 측정하는 초고속 광학 나노스코피를 개발

● 개발된 광학 나노스코피는 초고속 레이저와 정점곡률 30nm 미만의 팁을 갖춘 원자간력 현미경(AFM)으로 구성되어 있으며, 펌프 빔과 프로브 빔 레이저를 AFM 팁에 차례로 조사하는 동안 펌프 빔이 반도체 샘플의 전자를 들뜨게 하고 일정 시간 간격을 두고 조사된 프로브 빔의 산란광을 분석하여 전자의 정보를 획득

● 그 결과, 에너지 캐리어인 전자를 피코초 및 나노미터 스케일로 측정하여 반도체의 에너지 효율 및 기타 특성에 영향을 줄 수 있는 전자의 분포와 움직임에 대한 통찰을 제공

● 본 연구는 휴대폰, LED, 태양 전지 등의 반도체 기반 전자 장치의 에너지 효율을 파악하고 더욱 최적화하기 위한 중요한 성과로, 상전이와 데이터 저장을 비롯한 다양한 물리적 현상 및 장치를 연구하는 데 사용 가능할 것으로 기대


Nano Letters (2023.01.25.), Ultrafast Optical Nanoscopy of Carrier Dynamics in Silicon Nanowires