나노기술 및 정책 정보

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●타케나카 미츠루 교수(도쿄대) 연구팀이 실리콘 광회로에서 동작하는 초고감도 포토 트랜지스터를 개발

●광흡수층이 되는 인듐갈륨비소(InGaAs) 박막을 실리콘 광도파로(silicon optical waveguide) 위에 붙이고 InGaAs 박막을 트랜지스터의 채널, 실리콘 광도파로를 게이트로 하는 소자 구조를 제안

●실리콘 광도파로를 통해 전파되는 광신호의 일부가 InGaAs층에 흡수되어 트랜지스터의 문턱 전압이 이동함으로써, 광신호가 증폭되는 포토 트랜지스터 동작을 얻는데 성공

●실리콘 광도파로를 게이트로 함으로써 광 흡수를 억제하면서 효율적인 트랜지스터 동작을 얻을 수 있게 되어, 광 신호가 100만 배로 증폭되는 초고감도 동작을 실현했으며, 이는 기존 도파로형 트랜지스터에 비해 1000배 이상 높은 감도로 1조분의 1와트라는 매우 미약한 광신호 검출이 가능

●본 연구를 통해 광회로 내의 광신호 측정이 용이하게 됨으로써, 광전 융합을 통한 컴퓨팅 기술의 발전에 기여할 것으로 기대