나노기술 및 정책 정보

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● Katsuhiro Tomioka 준교수(Hokkaido University) 연구팀은 실리콘 기판 위에 인듐·갈륨·비소(InGaAs) 등의 화합물 반도체 나노와이어를 사용한 ‘종형 트랜지스터’를 세계 최초로 개발

● 연구팀이 개발한 종형 트랜지스터는 나노와이어를 수직 방향으로 세워 하나하나 트랜지스터로 작동하게 만드는 메커니즘으로 평면 트랜지스터와 달리 성능 향상의 한계 없이 집적도를 계속 높이는 것이 가능

● 또한, 실리콘 기판과 나노와이어 계면의 ‘양자 터널 효과’로 인해 스위칭의 물리적 한계를 극복하고 구동 전압을 낮춰 트랜지스터의 소비전력을 현재보다 90% 이상 절감 가능

Nanotechnology (2024.02.20.), Size control of InP nanowires by in situ annealing and its application to the formation of InAsP quantum dots