나노기술 및 정책 정보

- 최근 마이크로전자연구소 마이크로파 부품 및 집적회로 연구실(제4연구실)의 진즈(金智), 류신위(刘新宇) 연구팀은 새로운 고성능 그래핀 전자부품을 연구개발 하는데 성공하였다. 연구팀은 우선 마이크로 머신 스트리핑(Stripping) 방법으로 수 백 스퀘어 미크론에 달하는 대면적 그래핀을 개발하였다. 개발한 대면적 그래핀을 기반으로 독자적인 지적재산권을 보유한 복합 격자(Composite grid) 매질구조의 가는 격자막대기 형태의 가공공법을 개발함으로써 개발과정에서 발생하는 문제를 해결하였으며, 부품의 최고 컷오프 주파수(Cutoff frequency)가 18GHz로, 중국 내 그래핀 전자부품 중 최고 수준에 도달한 것으로 나타났다.  

- 연구팀은 SiC 외부 연장성장 방법으로 2인치 웨이퍼급 그래핀 상에서 듀얼게이트(Dual-gate) 부품 공법을 개발하여 웨이퍼급 그래핀 전자부품 양산을 실현하였고, 부품의 전체적인 성능은 GHz 이상의 수준(최고 4.6GHz)이다. 또한 구리포일에서 화학기상증착 방법으로 개발한 대면적 그래핀 상에서의 웨이퍼급 그래핀 전자부품의 양산을 실현하였다. 부품의 성능은 500MHz 이상 수준(컷오프 1.1GHz)으로 각각 중국 내 최초의 연구개발 성과로 나타났다.  

- 세 가지 방법으로 개발된 그래핀은 고유의 특성을 가지고 있으며, 그래핀 상에 제조한 전자부품은 향후 특성과 사이즈별 성능을 더욱 심층적으로 연구하여 집적회로 구현과 그래핀 기반의 전자부품 양산을 위한 선결 조건의 중대한 의미를 가진다. 연구개발 과정에서 약 20건에 달하는 특허를 신청하였고, 수편의 과학연구 논문들을 국제적 과학연구 학술지에 게재하여 마이크로전자 연구소의 그래핀 전자부품 연구개발 역량을 대폭 향상시켰다.