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나노기술 및 정책 정보

EU [EU/R&D]그래핀 기반 전자소자의 돌파구 마련

페이지 정보

발행기관
Nanowerk News
저자
 
종류
 
나노기술분류
 
발행일
2019-02-18
조회
3,589

본문

덴마크 덴마크기술대학교(Technical University of Denmark) 연구팀이 그래핀 소재의 전기적 특성을 설계하여 나노 전자소자를 만드는 데 가장 큰 난제 중 하나를 해결함. 연구팀은 전자 성질을 잘 유지하는 것으로 알려진 비전도성 물질인 육방정계 질화붕소(hexagonal boron nitride)라는 또 다른 2차원 재료 안에 그래핀을 캡슐화하는 데 최초로 성공함. 전자빔 리소그래피 기법을 사용하여 질화붕소의 보호층을 통해 매우 작고 밀집된 구멍들을 조심스럽게 에칭함. 생성된 구멍은 직경이 약 20나노미터로, 구멍의 가장자리 사이에 단지 12나노미터만이 통과 가능함. 이를 통해 전형적인 방법보다 100배에서 1000배 높은 전류가 나노그래핀을 통해 흐를 수 있게 됨. 본 연구 성과는 ‘Nature Nanotechnology’ 지에 게재됨