나노기술 및 정책 정보

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● 대만 대만사범대학 전기광학공학연구소, 큐슈대학 선도물질화학연구소 공동 연구진이 저항변화메모리(RRAM)와 발광전기화학셀(LEC)을 동시에 탑재한 고속 스위칭이 가능한 CsPbBr3 페로브스카이트 양자점 디바이스를 개발

● 페로브스카이트 재료에 있어 전계 유기 이온 이동 현상은 광전 변환 소자의 전기광학 특성 및 최종 성능에 영향을 미치고, 일반적으로 유해한 것으로 취급되고 있으며 실용화를 위해서는 이온의 움직임을 억제하는 것이 요구

● 연구진은 개발한 디바이스는 바이어스 극성 변조에 의해 이온의 흐름을 주의 깊게 제어함으로써 메모리의 상태를 다른 발광색을 통해 알릴 수 있으며, 페로브스카이트 소자를 직렬로 연결하는 것만으로도 전기적으로 전환이 가능

● 본 연구 성과는 페로브스카이트 재료의 광 및 전기적 특성의 시너지 효과를 이용한 것으로 향후 광전자 분야에 새로운 가능성을 가져올 것으로 기대

※ Nature Communications 게재, “All-inorganic Perovskite Quantum Dot Light-emitting Memories”