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National Nanotechnology Policy Center

나노기술 및 정책 정보

일본 기존의 10배의 양성자를 포함하는 이온 전도체를 합성

페이지 정보

발행기관
토호쿠대학교
저자
 
종류
R&D
나노기술분류
 
발행일
2021-07-30
조회
2,289

본문

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일본 토호쿠대학교 Hitoshi Takamura 연구원, 연구진은 8만 기압의 고압 하에 있어 기존의 약 10배의 양성자를 함유하면서 450~500에서 10-2S/cm의 높은 양성자 전도성을 나타내는 Ba-Sc계 산화물을 합성하는 데 성공

양성자(H+) 전도체는 연료 전지와 수증기 전해에 의한 수소 제조에 필수 재료이지만, 고체 중에 도입 할 수 있는 양성자의 양은 제한적인데, 연구진은 도핑에 의존하지 않고 다량의 양성자를 산화물에 도입하기 위해 고압 합성법을 통해 Ba-Sc계 산화물을 대상으로 1200, 8만 기압의 조건에서 기존의 약 10배의 양성자를 함유하는 산화물을 합성하는 데 성공

합성된 양성자 전도체의 화학식은 BaSc0.67O(OH)2이며, Sc1/3이 결손되기 때문에 Sc 공공 및 전기적 중성을 유지하도록 다량의 양성자가 도입되는 것을 확인

1원리 계산에서는 공공 위치 주변의 산소와 결합하는 양성자가 공공 위치 쪽으로 향하는 특이한 형태로 배위하고, 인접한 Sc 공공 위치에 쉽게 확산되었고, 본 재료는 실용될 것으로 예상되는 450~500중온도 영역에 있어 10-2Scm로 충분히 높은 양성자 전도성을 나타내는 것으로 확인

다량의 양성자는 금속 이온의 결손에 의해 도입되기 때문에 기존의 양성자 전도체에 필수였던 이종 금속의 도핑을 필요로 하지 않는다는 장점 보유

해당 연구 성과는 양성자 전도체뿐만 아니라 전고체 전지용 이온 전도체 등의 재료 설계에 새로운 지침을 줄 것으로 기대

 

Chemistry of Materials 게재(2021.07.28.), "Protonation-induced B-site deficiency in perovskite-type oxides: Fully hydrated BaSc0.67O(OH)2 as a proton conductor"