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나노기술 및 정책 정보

일본 실리콘 스핀 양자 비트 소자 속도를 고속화시키는 집적 구조 개발

페이지 정보

발행기관
산업기술종합연구소
저자
 
종류
산업
나노기술분류
 
발행일
2021-08-05
조회
1,976

본문

산업기술종합연구소(AIST) 디바이스기술연구부문 신원리디바이스연구그룹 등의 연구그룹이 실리콘 스핀 양자 비트 소자를 이용한 대규모 집적 양자 컴퓨터의 실현을 위해 스핀 양자 비트 소자와 연산에 필요한 미소(微小) 자석을 집적한 새로운 통합 구조를 고안

양자 컴퓨터 실용화를 위해서는 100만 이상의 양자 비트를 집적한오류 정정형(범용) 양자 컴퓨터가 요구되며, 이를 위해 대규모 집적 공정에서 발생하는 가공 선폭의 불균일성 및 배치 시의 위치 오차 등에 기인하는 불량 발생률을 줄이고, 다수의 스핀 양자 비트 소자를 동시에 동작시킬 필요가 있으나, 다수의 스핀 양자 비트 소자를 대규모로 평가하는 실험 기술이 없기 때문에 소자 및 집적 구조의 제조 편차 내성을 실험으로 평가하는 데 어려움이 있었음

AIST에서는 이들을 평가할 수 있는 시뮬레이터를 개발해 왔으며 이번 연구를 통해 스핀 양자 비트 소자의 고속 동작에 필요한 미소 자석을 소자측 하단에 삽입하는 구조를 새롭게 고안, 시뮬레이터를 이용하여 고속 동작 및 제조 편차 내성을 평가

그 결과, 배선층에 자석을 형성하는 기존 구조에 비교해 라비 진동(rabi oscillation, 스핀 동작 속도)이 약 10배 빨라짐과 동시에 최대 집적 가능한 양자 비트 수를 제한하는 요인이 되었던 제조 편차 내성을 크게 개선할 수 있음을 확인

본 연구 성과는 실리콘 양자 비트를 기본 소자로 하는 대규모 집적 양자 컴퓨터 실현에 도움을 줄 것으로 기대