나노기술 및 정책 정보

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● 영국 Andrew J. Flewitt 교수(University of Cambridge) 연구팀은 두 가지 바텀업 공정을 결합해 새로운 ‘나노-인-나노’ 쇼트키 다이오드 개발

● 연구팀은 서로 다른 재료의 자가 정렬된 동일 평면 전극을 10~50nm로 패턴화하는 접착 리소그래피 방식과 금-ZnO 박막 위 티타늄 이중층 박막을 통해 ZnO 와이어를 직접 성장시키는 수열성장 방식 사용

● 연구팀이 개발한 ‘나노-인-나노’ 쇼트키 다이오드는 박막 다이오드보다 우수한 특성을 보유

● 해당 연구 결과는 단채널 게이트-올-어라운드(GAA) 트랜지스터를 포함하여 미래 전자 장치 실현에 기여할 것으로 기대

ACS Applied Electronic Materials (2025.01.02.), “Nano-In-Nano” Schottky Diodes Fabricated by Combining Self-Aligned Nanogap Patterning with Bottom-Up ZnO Nanowire Growth